Change in Film Stress of a-Si:H by Annealing
キーワード:
amorphous silicon,
a-Si:H,
film stress,
intrinsic stress,
hydrogen evolution,
annealing,
activation energy
1986 年 27 巻 10 号 p. 789-790
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1986 年 27 巻 10 号 p. 789-790
