71 巻 (1968) 9 号 p. 1426-1430
有機半導体に対する圧カ- 抵抗関係は従来から研究されており, 通常10万気圧までは多かれ少なかれ可逆的に電気伝導度が増 すと言われている。それ以上の圧を加えると,物質によっては永久的化学変化をおこす。上にのべたこととは別に,N,N'-ジメチルジチオオキサミドおよびN,N'-ジシクロヘキシルジチオオキサミドの銅(II)錯体ではわずか1万気圧前後向の圧を加えると抵抗値に履歴現象が現われる。いちじるしい異方性分子構造をもつと思われるこれら高分子有機半導体で,特に顕著に現われるこの異常現象の機構を分子または結晶子の圧縮および配向として,数式で表現した。これらの化合物は偶然有機半導体であったので,機械的外力の影響を電気伝導度で検知することができたが,この種の現象は異方性分子よりなる,やや柔らかい固体に外力を加えた場合に,その物質が半導体であるか否かと関係なく,一般的に起り得る現象であると推量される。