日本化学会誌
Print ISSN : 0369-4577
三酸化ストロンチウムハフニウムの硫化・酸化処理による光触媒活性の発現
米村 道子関根 忠雄上田 壽
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1986 巻 (1986) 6 号 p. 756-761

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抄録

ハフニウムはチタンと同族元素であるので,三酸化ストロンチウムハフニウムには三酸化チタンストロンチウムと同じような光触媒活性が期待できる。三酸化ストロンチウムハフニウム粒子の表面の活性化を目的として, CS2雰囲気(13.3Pa, 900℃)およびO2雰囲気(105Pa, 600℃)中でおのおの30分処理し, かつこの過程を3回以上くり返す方法を行なった。酸化ニッケルを5wt%添加してからこのようにして活性化した触媒について活性の測定を行なったところかなりの効率で水-2-プロパノールの系および水-メタノールの系の光分解ができた。このような光分解は可視光(480~730nm)で可能であるが, その理由として,硫化・酸化処理により触媒粒子表面にSO2-が生成し,それがバンド構造を形成していることが考えられる。

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© The Chemical Society of Japan
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