導電性高分子(ポリアニリン)と絶縁性の環状分子(シクロデキストリン,CD)またはCDから合成される分子ナノチューブを用いて分子被覆導線を作製し,原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察を行った.分子被覆導線では導電性高分子の外側をCDまたは分子ナノチューブが覆うために分子間相互作用が遮へいされ,高分子一本鎖が単離できる.また,CDおよび分子ナノチューブの内径が狭いために高分子の形態が棒状に制約され,π電子共役構造の欠陥の抑制が期待できる.さらに,この分子被覆導線一本鎖の導電率を測定するために,微細加工を用いて四端子電極基板を作製した.本稿では分子被覆導線の作製とその一本鎖の導電率測定に関する試みについて解説する.