研究紹介
分子線エピタキシーによるZrB2 基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
2003 年 72 巻 3 号 p. 318-321
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2003 年 72 巻 3 号 p. 318-321
六方晶ZrB2はきわめて大きな電気伝導率，良好な熱伝導率をもち，その α軸格子定数は0.3169nmとGaN(0.3189nm)とほぼ格子整合しており，GaN用基板として有望である．本稿では，分子線エピタキシーによるZrB2 (0001)基板上へのGaNのヘテロエピタキシャル成長について述べる．エピタキシャル関係や，低温成長緩衝層の効果，GaN成長層の極性などについて報告する．
