解説
平たん構造からの飛躍：Fin型チャネルFET構造の必然性
2003 年 72 巻 9 号 p. 1136-1142
詳細
2003 年 72 巻 9 号 p. 1136-1142
プレーナ技術によるシリコンの微細加工に支えられてきたCMOSデバイスの高性能化は，数々の物理限界要因を迎えるようになってきた．こうした状況にあって，最近，MOSFETのチャネルにフィン（Fin）型構造を用いたFinFETが注目されてきている．これは，チャネルに立体構造を用いることで，チャネルの制御性を高め，また，大きな電流駆動力が得られるためである．このフィン型チャネル構造は，現在のLSIで用いられているプレーナ技術により形成できるため，今後のCMOS性能向上を図るうえで，重要な素子となることが考えられる．ここでは，デバイス構造や特性について，この構造が選択されてきた背景とともに紹介する．
