応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
光通信・光メモリー用短波長帯光半導体
福永 敏明早川 利郎
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2005 年 74 巻 10 号 p. 1379-1383

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抄録

波長780〜980nmの短距離の通信用や光ファイバーアンプの励起用,光メモリー用の光源としてGaAs基板上に成長されるAlGaAs系やGaInAsP系材料が用いられる.この材料系では,発光時の端面破壊が素子寿命の支配要因になるなどの特徴をもつ.端面破壊を防止するには活性層の光密度低減や端面パッシベーションが重要となる.本稿では,量子井戸構造半導体レーザーの高出力・高信頼性化のデバイス設計ならびに端面処理プロセス技術の現状を紹介する.

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© 2005 公益社団法人応用物理学会
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