抄録
赤色半導体レーザーは，短波長化と高出力化を目指して研究が行われた．そのカギとなった特性値は，しきい値電流密度であったが，数百A/cm2 までの低しきい値化が達成された．ヘテロ障壁からの電子の漏れをいかにして抑制するかが課題となったが，傾斜基板効果，ひずみ量子井戸，多重量子障壁，p型クラッド層の高ドーピング化など，特性向上のための技術ポイントの解明が進み，低しきい値化に寄与した．
© 2005 公益社団法人応用物理学会
2005 年 74 巻 11 号 p. 1477-1481
赤色半導体レーザーは，短波長化と高出力化を目指して研究が行われた．そのカギとなった特性値は，しきい値電流密度であったが，数百A/cm2 までの低しきい値化が達成された．ヘテロ障壁からの電子の漏れをいかにして抑制するかが課題となったが，傾斜基板効果，ひずみ量子井戸，多重量子障壁，p型クラッド層の高ドーピング化など，特性向上のための技術ポイントの解明が進み，低しきい値化に寄与した．