応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
次世代大容量光メモリー用光半導体
松村 拓明杉本 康宜長濱 慎一向井 孝志
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2005 年 74 巻 12 号 p. 1614-1617

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抄録

1995年にGaN系材料を用いた波長405nmの紫色半導体レーザーが発表されて,約10年が経過した.現在では,紫色半導体レーザーを用いた次世代大容量光メモリーの開発,実用化が進められている.今後は高速記録化,多層記録化の要望も強くなってきており,LDのさらなる高出力化が必要になってくると予想される.ここでは,次世代大容量光メモリー用のGaN系半導体レーザーの現状について報告し,今後の課題について述べる.

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© 2005 公益社団法人応用物理学会
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