基礎講座
次世代大容量光メモリー用光半導体
2005 年 74 巻 12 号 p. 1614-1617
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2005 年 74 巻 12 号 p. 1614-1617
1995年にGaN系材料を用いた波長405nmの紫色半導体レーザーが発表されて，約10年が経過した．現在では，紫色半導体レーザーを用いた次世代大容量光メモリーの開発，実用化が進められている．今後は高速記録化，多層記録化の要望も強くなってきており，LDのさらなる高出力化が必要になってくると予想される．ここでは，次世代大容量光メモリー用のGaN系半導体レーザーの現状について報告し，今後の課題について述べる．
