応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
ひずみ量子井戸光半導体
横内 則之
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2005 年 74 巻 9 号 p. 1238-1241

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抄録

格子不整合を積極的に利用したひずみ量子井戸レーザーの出現は,それまでのデバイス設計の常識を覆す衝撃的な事件であった.この技術により,1990年代に半導体レーザーの特性は飛躍的に改善され,現在では,ほぼすべての半導体レーザーでひずみ量子井戸が発光層として用いられるようになった.ひずみ量子井戸の特徴を,デバイス特性改善のメカニズムを中心に解説する.

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© 2005 公益社団法人応用物理学会
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