研究紹介
電子スピン共鳴法による半導体デバイス作製プロセスの表面反応解析
2006 年 75 巻 12 号 p. 1487-1491
詳細
2006 年 75 巻 12 号 p. 1487-1491
半導体・絶縁体の薄膜成長や表面修飾に伴う表面の欠陥の発生のダイナミックなプロセスを観察するために，電子スピン共鳴法を用いたその場観察を開発した．半導体デバイス作製プロセス中には多くの欠陥が存在し，その制御が重要であることを，シリコン酸化，アモルファスシリコン薄膜製膜，SiO2 のエッチングを例に紹介する．
