研究紹介
微細MOSトランジスタの加工揺らぎが二次元キャリア分布に及ぼす影響の直接測定
2006 年 75 巻 7 号 p. 897-901
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2006 年 75 巻 7 号 p. 897-901
ゲートラインエッジラフネス(LER)がゲート長50nm以下の微細n-MOSFETにおける二次元キャリア分布へ及ぼす影響を直接評価した結果を紹介する．ゲートLERにより誘起されたエクステンション分布の揺らぎが注入条件に強く依存することを，走査型トンネル顕微鏡を用いて観察した．窒素注入により不純物拡散を抑制すると，エクステンション分布の揺らぎが大きくなった．キャリア分布の揺らぎから予想したとおり，不純物拡散を抑制すると，デバイス特性のばらつきが大きくなることを確認した．
