応用物理
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Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
光の検出方法は?
斎木 敏治
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2009 年 78 巻 12 号 p. 1156-1160

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抄録

半導体にそのバンドギャップ以上のエネルギーをもった光が照射されると,光は吸収され,電子正孔対が生成される.pn接合を形成しておくと,電子と正孔が空間的に分離され,起電力が発生する.外部回路と接続すれば光強度に比例した電流を取り出すことができる.これがフォトダイオードの原理である.また,電荷蓄積素子としてpn接合(MOSキャパシター)を二次元アレイ状に配列したものがCCDカメラである.本解説では,これらの光検出デバイスについて原理と基本特性についてその概要を説明する.

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© 2009 公益社団法人応用物理学会
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