研究紹介
高純度同位体を用いた半導体中の自己拡散現象の解明
2011 年 80 巻 11 号 p. 987-990
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2011 年 80 巻 11 号 p. 987-990
高純度（〜100％）同位体 30Siを天然Si（30Siの存在割合3.1％）基板上にエピタキシャル成長させたヘテロ構造を作製し，その濃度差を利用し，30Siを2次イオン質量分析装置によりモニタして，シリコン自己拡散を調べた．867〜1300°Cにおけるシリコン自己拡散係数を決定し，また自己拡散において空孔機構とinterstitialcy機構の両方が関与することを示し，その割合を決定した．さらに高純度30Si超格子構造を作製し，酸化性雰囲気中での熱処理を行い，30Siの広がり分布を評価して，格子間シリコン原子の拡散係数と熱平衡濃度を直接的に決定した．
