北海道大学 大学院情報科学研究科 科学技術振興機構-さきがけ
北海道大学 大学院情報科学研究科 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
2012 年 81 巻 1 号 p. 59-64
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近年,ナノメートルスケールの直径を有する半導体ナノワイヤが,ナノエレクトロニクス・フォトニクス・グリーンデバイスの構成要素として注目を集めている.本稿では,有機金属気相選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤ成長について,シリコン基板上の集積技術を紹介し,位置・サイズ・配向制御された半導体ナノワイヤの幾何的特徴を利用したナノワイヤ発光ダイオード・縦型サラウンディングゲートトランジスタ・太陽電池応用について紹介する.
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