応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
研究紹介
ナノ光構造技術を用いた高出力深紫外LED
井上 振一郎
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2019 年 88 巻 10 号 p. 663-667

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抄録

波長が280nmよりも短いUVC光を発する深紫外LEDは,殺菌から医療,光加工,ICT応用に至るまで,幅広い分野においてその重要性が増しており,本格的な社会普及への期待がますます高まっている.近年,AlGaN系深紫外LEDデバイスの結晶品質や内部量子効率は大幅に向上してきている.しかしながら,その光出力については,青色LEDや従来深紫外光源である水銀ランプと比較すると,いまだ低い値にとどまっている.我々は,内部光吸収や光出力飽和現象(効率ドループ)の抑制を可能とするナノ光構造技術を基盤とした深紫外LEDの研究を行ってきた.本稿では,単チップにおいて光出力500mWを超える,水銀ランプに匹敵する極めて高出力な265nm帯深紫外LEDを実証した取り組みなどについて紹介する.

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© 2019 年 応用物理学会
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