応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
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ゲルマニウムスズⅣ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性
中塚 理黒澤 昌志
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2019 年 88 巻 9 号 p. 597-603

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抄録

ゲルマニウムスズ(Ge1-xSnx)混晶はIV族元素で構成されながら直接遷移型の半導体であり,高いキャリヤ移動度,低い結晶成長温度などの特長から,高移動度トランジスタや赤外線受発光デバイス,半導体レーザー,さらに次世代の多機能混載LSIに向けた応用が期待される材料である.共晶系でSnの平衡固溶限界が低いGe1-xSnxに要求されるSn組成制御に向けて,その結晶物性の理解と制御に基づく結晶成長やプロセス技術の研究開発が必要不可欠である.本稿では,Ge1-xSnxおよび関連するIV族混晶半導体材料について,近年の結晶成長技術の進展とそのヘテロ構造および電子物性について報告する.

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© 2019 年 応用物理学会
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