応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
研究紹介
SiC-MOSFETのチャネル領域における電子散乱モデルと特性改善
野口 宗隆
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ジャーナル 認証あり

2020 年 89 巻 5 号 p. 265-268

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抄録

SiC-MOSFETの特性改善には反転層移動度の増加が有効であるが,その指針を得るには「何が反転層移動度を制限するのか?」を理解する必要がある.本研究ではホール効果測定を利用して反転層移動度を評価することでキャリヤ散乱機構を実験的にモデル化した.さらに得られた基礎的な理解に基づき,従来のSiCデバイス技術では適用されてこなかった不純物を適用することでSiC-MOSFETのさらなる特性改善が可能であることを見いだしたので紹介する.

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© 2020 公益社団法人応用物理学会
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