総合報告
表面活性化による常温接合とそのメカニズム
2020 年 89 巻 9 号 p. 498-508
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2020 年 89 巻 9 号 p. 498-508
表面活性化による常温接合の現状と接合メカニズムを概説する．イオン衝撃による標準表面活性化接合が金属やシリコン（Si）の常温接合に有効なのに対し，ナノ密着層を導入した拡張表面活性化接合によって，ガラスや化合物半導体，高分子フィルムなどの常温接合も可能となる．また大気圧・雰囲気中での表面活性化接合（SAB）が検討されている．最近の事例として，最高の接合界面熱伝導率を実現したGaNとダイヤモンドとの常温接合を示した．さらに本手法の将来への展望として，極低温接合を提案した．
