筑波大学 数理物質系・物理工学域
2023 年 92 巻 11 号 p. 668-672
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
半導体BaSi2は資源が豊富な元素で構成される禁制帯幅が約1.3eVの間接遷移型半導体である.光吸収係数がCuInSe2系の薄膜太陽電池用半導体と同様に大きく,13族および15族元素のドーピングにより,伝導型およびキャリヤ密度の制御が可能である.これまで培ってきたSi基板上のエピタキシャル膜で得られた知見を生かし,ガラス基板上の薄膜太陽電池への取り組みを紹介する.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら