応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
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ガラス上シリサイド半導体を用いた高効率太陽電池の開発
末益 崇
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2023 年 92 巻 11 号 p. 668-672

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抄録

半導体BaSi2は資源が豊富な元素で構成される禁制帯幅が約1.3eVの間接遷移型半導体である.光吸収係数がCuInSe2系の薄膜太陽電池用半導体と同様に大きく,13族および15族元素のドーピングにより,伝導型およびキャリヤ密度の制御が可能である.これまで培ってきたSi基板上のエピタキシャル膜で得られた知見を生かし,ガラス基板上の薄膜太陽電池への取り組みを紹介する.

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© 2023 公益社団法人応用物理学会
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