化合物半導体エピタキシャル層の評価
1982 年 51 巻 11 号 p. 1226-1237
詳細
1982 年 51 巻 11 号 p. 1226-1237
III-V族化合物半導体の各種エピタキシャル層を,移動度,到達純度,深い準位などの面から比較評価した.特にGaAs，ALxGa1-xAsについては, LPE, VPE, MOCVD, MBEによって作製したエピタキシャル層のデータをまとめ,おのおのの特長を浮き彫りにし, InP, InxGa1-xAs, InxGa1-xAsyP1-vについても同様の比較を行ない,各エピタキシャル法の優劣を論じる.
