III-V族混晶半導体の物性制御
1982 年 51 巻 2 号 p. 175-181
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1982 年 51 巻 2 号 p. 175-181
最近のIII-V族混晶研究におけるトピックスを,バルク特性の制御と表面,界面の物牲制御に分類して紹介している.バルク特性制御で話題となるのは混晶の禁制帯幅-格子定数の関係,混晶内での電子,正孔の挙動,およびP形, n形不純物の振舞である.いっぼう,混晶を利用した特殊な接合界面では,バルク特性を超越した全く新しい物性が生み出されることを明らかにしている.
