遠赤外レーザーを用いた半導体過渡現象の計測と結晶評価

抄録

遠赤外レーザー光のエネルギーは半導体中の不純物準位間,励起子準位間および自由キャリアのサイクロトロン・エネギーに相当する.したがって,これらの状態を探る有力な探針となる.光励起や電界励起によって非平衡状態を生み出し,平衡状態へもどる過程を観測することによって,動的な特性を追うことが可能である.励起子の寿命に対する試料内部の歪みや不純物の影響,補償度の精密灘定,伝導電子と不純物との相亙作用等について述べる.