東京農工大学工学部電子工学料
1982 年 51 巻 7 号 p. 790-795
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最近急速に発展しつつある超LSIなどに用いられるリソグラフィーの技術動向を概説する.まず重要なパターンを創成する電子ビーム描画装置は,パターン微細化のみならず高スループットに向かって急速に進歩している、最高のものとしては0.5μm線幅で,100mmφウエーハで1時間当たり13枚である.転写は,当面,光による高解像度と高スループットへの改善が実用化されている.そのほか,X線,イオンビームなどの進歩と見通しについても述べる.
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