InPのMOCVD
1982 年 51 巻 8 号 p. 931-934
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1982 年 51 巻 8 号 p. 931-934
有機金属化合物を用いた気相エピタキシャル成長法 (MOCVD法)のうちInPの成長を中心に,成長機構と問題点について報告する. TEInを用いたInPの成長では原料ガス流速を大きくし,気相中の原料輸送領域における温度上昇を抑制し, TEInの熱分解を抑えることが,均質かつ良質の結晶を得る上で本質的に重要であることを示す.
