GaAs IC用基板結晶の均一性
1983 年 52 巻 3 号 p. 227-231
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1983 年 52 巻 3 号 p. 227-231
半絶縁性GaAeは,ポストSi材料として近年注目を集めており, 2～3インチ径の大口径 (100) 基板が得られるLEC GaAsの開発が盛んである. LEC結晶には特有の転位密度分布不均一性がある.この転位密度の不均一分布と結晶品質,およびFET特性との相関に関する最近の研究成果について紹介し,転位密度の均一分布がGaAs IC実現に必要であることを提言する.
