ナイトライド系III-V族化合物半導体の物性
1983 年 52 巻 5 号 p. 374-387
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1983 年 52 巻 5 号 p. 374-387
ナイトライド系III-V族化合物半導体 (BN, AIN, GaN, InN) について,単結晶薄膜の作製法,電気的・光学的性質,遮用などについて紹介する.単結晶薄膜作製法についてはサファイアやシリコン基板上へのCVD法, MOCVD法,その他の方法を中心に述べる.得られた薄膜はGaN, InNでは低抵抗を示すものが多く, AINやRNでは高抵抗を示すものが多い.いずれの材料も光吸収・ルミネッセンスなどの光学的性質が調べられており,すべて直接遷移型のバンド構造を有することがわかっている.応用としては, GaN発光ダイオード, AIN弾性裳面波ヂバイス,半導体テバイスの表面パッシベーションなどが検討されている.
