応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
III-V化合物半導体表面の安定化技術
松本 良成
著者情報
ジャーナル フリー

1983 年 52 巻 7 号 p. 584-588

詳細
抄録

いまや集積回路技術が適用されつつあるIII-V化合物半導体に対し,克服されねばならない重要なテーマの一つに,表面安定化技術の確立がある.表面安定化に限らず, III-V化合物と絶縁膜の界面物性の制御は,現在,模索段階にある.ここではIII-V化合物-絶縁膜界面の問題点を抽出し,この界面制御の可能性について展望する.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top