応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
エピタキシャル絶縁膜上のSi
有本 由弘井原 賢記村 隆章児玉 茂夫山脇 秀樹山岡 豊
著者情報
ジャーナル フリー

1983 年 52 巻 7 号 p. 603-606

詳細
抄録

集積回路用基板形成技術として,エピタキシャル絶縁膜上の単結晶Si活性層に関する研究を紹介する.気相成長法により,バルクSi基板上に,単結晶MgO・Al2O3絶縁膜,さらにその上に,単結晶Si属をそれぞれエピタキシャル成長させた, MgO・Al2O3エピタキシャル絶縁膜上のSi活性層に試作した,バイポーラトランジスタ,高耐圧バイポーラ集積回路などの評価結果,本構造の精徴について述べる.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top