長距離光ファイバ門通信用半導体デバイス
1.5μm帯lnGAs/InPヘテロ構造APD
1984 年 53 巻 12 号 p. 1067-1072
詳細
1984 年 53 巻 12 号 p. 1067-1072
1.5μm帯光通信の実現に必要な高感度受光素子としてInGaAo/InPヘテロ構造APDの開発が鋭意進められている.本稿ではこのAPDの研究経緯に触れた後,現在得られている高量子効率・低雑音・高速応答性などの諸特性を紹介する.実験室レベルではすでに長距離・大容量の光伝送実験に使用され,優れた受信感度が確認されているが,信頼性の検証が今後の大きな課題である.
