半絶縁性低転位GaAs結晶の評価
1984 年 53 巻 12 号 p. 1083-1087
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1984 年 53 巻 12 号 p. 1083-1087
GaAs-IC用の結晶がLEC法によって開発されているが,集積回路用の基板として用、るには転位欠陥による電気的な不均一性の少ない結晶を育成する必要がある.最近になって無転位で,かつ半絶縁性のGaAs結晶が得られるようになり,GaAs-ICの実用化は一段と確実になってきている。本報告では,低転位化の手法と,得られた結晶の均一性がどれだけ向上しているかを紹介したい.
