化合物半導体超格子の無秩序化とその応用
1985 年 54 巻 11 号 p. 1167-1175
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1985 年 54 巻 11 号 p. 1167-1175
化合物半導体の超格子ではZnあるいはSiのような不純物が拡散すると,超格子を構成する元素が互いに入り混じって,均一な組成の混晶となり,超格子の無秩序化が起こる.この超格子の無秩序化について,AlGaAs系の超格子を例にとり,どのような条件下でこの現象が起こり,その機構はどのように考えられるかについて説明する.また,この現象を利用すると新しい構造の半導体レーザーの作成が可能であるが,その実際の例を二,三紹介する.
