ローム(株)LED製造部
1985 年 54 巻 11 号 p. 1208-1211
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
分子線成長法(MBE)による,横モード制御された半導体レーザーを開発した.量産に向いたセルフアラィン構造型レーザーで,縦モード制御性に優れ,実用上十分な低雑音精性をもつ.作製方法および試作したレーザーの諸特性,その分布について述べる.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら