シリコン窒化膜の最近の研究
1985 年 54 巻 12 号 p. 1250-1266
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1985 年 54 巻 12 号 p. 1250-1266
半導体ヂバイスの最終保護膜,ゲート絶縁膜等への応用のために,緻密で誘電率の大きいシリコン窒化膜が注目されて久しい。しかしながら,近年の半導体プロセスではその膜質がデバイス特性に直接関与するようになり,高度の材料特性が要求されるに至ってきた.さらに,不揮発性メモリー用材料として,本来電気転導を目的としない場でのエレクトロニクスが積極的に活用されつつある.本報告では,熱CVD法,プラズマCVD法,光CVD法,および熱(プラズマ)窒化法により作製されたシリコン窒化膜に関し,最近の問題点と研究動向について述べ,各種作製方法による膜質の相違とその理由に関して考察を行なう.
