富士通(株)IC開発部
1985 年 54 巻 7 号 p. 652-659
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近年,絶縁物薄膜上に,単結晶シリコン層を形成する技術が,急速に発展した.この技術を応用して,従来その形成を基板シりコン結晶上に限定されていた,能動素子を三次元的に自由に配置し, ICの高性能化をはかる試みがなされている.現在、三次元構造による高集積化の効果が顕著に現われる, CMOS回路での試作が主に行なわれている.これら三次元IC開発の現状について紹介する.
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