ワイドギャップII-VI族化合物半導体の有機金属化学気相成長
1986 年 55 巻 11 号 p. 1024-1035
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1986 年 55 巻 11 号 p. 1024-1035
有機金属化学気相法 (MOCVD) は,種々のIII-V族化合物半導体薄膜デバイスの作製法として,すでに確立している.この技術を,光デバイス用の新しい材料として期待されるII-VI族化合物半導体の結晶成長へ応用する試みが,近年活発に行なわれている.本総合報告は,ワイドギャップII-VI族化合物半導体の成長の現況について,原料系の問題,格子整合,伝導度の制御などに重点をおいて述べ,さらに今後の発展のカギを探るものである.
