フッ素系原料ガスから作成したアモルファスシリコン
1986 年 55 巻 11 号 p. 1074-1079
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1986 年 55 巻 11 号 p. 1074-1079
モノシラン,ジシラン,およびフッ化シラン類について,電子状態と三重項励起状態からの極限的反応座標を,分子軌道法により計算し,反応性との相関をもとめた,計算結果から,ヘキサフルオロジシランの高い反応性と,モノフルオロシランの特異な分解挙動を予測し,それがプラズマCVD法によるアモルファスシリコン膜の形成反応にどのように反映され,利用できるかを考察した.さらに,これら新原料ガスを用いて作成した膜の,構造と基礎的性質について検討した.
