(株)日立製作所中央研究所
1986 年 55 巻 12 号 p. 1172-1176
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有磁場マイクロ波プラズマエッチングにおいて,気相中のラジカルおよびSi表面の計測,解析を行なった.気相滴定法,レーザー誘起蛍光法を用いたラジカル計測から,有磁場マイクロ波プラズマ内では,ガス分子の解離,イオン化が効率的に行なわれるという知見が得られた.また,Si表面の XPS 分析により,Siエッチングに用いられているSF6中の硫黄原子が,Si表面清浄化作用を持つことを明らかにした.
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