応用物理
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レーザーCVD法によるラジカル輸送過程とa-SiGe膜形成
市川 幸美酒井 博内田 喜之
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1986 年 55 巻 12 号 p. 1177-1181

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抄録

エキシマレーザーを光源とした平行入射型レーザーCVD装置を用いて,アモルファスSiGeの成膜実験を行ない,拡散モデルに基づくラジカル輸送過程の解析結果との比較,検討を行なったので報告する.さらに,現在開発を進めているラジカルジェット型レーザーCVD装置についても紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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