応用物理
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耐放射線強化素子研究の現状
後川 昭雄大西 一功
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1986 年 55 巻 3 号 p. 225-233

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抄録

宇宙基地,人工衛星,惑星探査機など宇宙環境,および原子炉用作業ロボットに代表される過酷な放射線環境下で使用に耐える半導体素子の開発が要望されている.本稿では,半導体デバイスの放射線損傷の基礎的理解から始め,バイポーラ型,Mos型のSiLSIおよびGaAs IC素子について,トータルドーズ効果や,ソフトエラーあるいはラッチアップを起こすシングルイベント現象などを概説し,耐放射線強化技術開発の動向と,放射線照射試験の問題点についても展望する.

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© 社団法人 応用物理学会
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