名古屋大学工学部電気系学科
1986 年 55 巻 3 号 p. 253-256
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プラズマプロセシングにおいては種々の反応性分子が用いられ,現筏その素過程に関する研究が望まれている.ここではSiH4およびNH3に話を絞り,電子衝突によって解離生成されたラジカル発光種からの遷移に対する発光断面積の測定法と,最近の測定結果について述べる.
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