半導体単結晶の大形化の問題点
1986 年 55 巻 4 号 p. 342-347
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1986 年 55 巻 4 号 p. 342-347
シリコンおよびガリウムヒ素結晶について,結晶の大形化を図るうえでの技術的間題と今後の課題を述べた.シリコン結晶では,大形化に関する結晶育成技術面での致命的問題は当面見当らない.しかし結晶品質向上に関する継続的な努力が要求されている.一方ガリウムヒ素結晶では長尺の単結晶を育成するための技術的限界に現在直面している.この場合,有転位および無転位いずれの結晶育成を目指すかは,今後の進展にとって重要となる.
