シリコン (111) 表面の7×7再配列構造
超高真空電子顕微鏡による解析
1987 年 56 巻 1 号 p. 45-50
詳細
1987 年 56 巻 1 号 p. 45-50
超高真空電子顕微鏡による透過電子線回折法を用いて,シリコン (111) 表面の7×7再配列構造の原子配列を解析した.この表面構造はdimer adatom stacking-faultより構成されるのでDASモデルと呼ぶが,最近,走査トンネル顕微鏡,イオン散乱法,X線回折法などの方法によっても支持を得てきた.透過電子線回折法とDAS構造について紹介する.
