応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
フッ素増速反応によるシリコンの低温酸化
広瀬 全孝田中 武
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1987 年 56 巻 1 号 p. 70-75

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抄録

LSIのゲート酸化膜形成に必要なシリコンの熱酸化は,通常1000°C程度で行なわれている.プロセス中のウエハーの反り,不純物の再分布,結晶欠陥生成などの問題に対処するために低温化への要求は根強い.しかし酸化温度の大幅な抵下は,酸化速度の極端な低下のみならずSi-SiO2界面の電気的特性を悪化させる傾向がある.本稿では, NF3+O2混合ガスシステムでの低温熱酸化によるSi酸化膜成長技術の現状について述べ,さらに,エキシマレーザー励起酸化法についても紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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