低濃度In添加HB法による低転位GaAs結晶
1987 年 56 巻 11 号 p. 1473-1479
詳細
1987 年 56 巻 11 号 p. 1473-1479
最近,OEICやHEMTなどのGaAsデバイスの動作層をつくる方法として,MBEやMOVPEなどの“ファインエピタキシー技術”の進歩が著しく,これに適合した商品質(低転位密度)基板が望まれている.ここでは,LEC法に比べ,温度環境が結晶に与える熱応力の小さいボート法を用いて,エピタキシャル層との格子ミスフィットを生じさせない紙濃度のInを添加することによって,エピタキシャル用基板として望ましい低転位GaAB基板を開発したので,紹介する.
