応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ラジカル制御による高品質アモルファストSi-Ge薄膜の形成
松田 彰久
著者情報
ジャーナル フリー

1987 年 56 巻 3 号 p. 352-356

詳細
抄録

プラズマCVD法により作製される,水素化アモルファスシリコン系合金材料の高品質化が,報告され始めている.このなかで,膜形成ラジカルを選択制御することにより,膜成長表面でのネットワーク構造決定反応を制御する方法としての三電極プラズマCVD法を紹介し,他に報告されている光CVD法などの方法との共通点,相違点を議論する.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top