半導体レーザー用四元混晶の有機金属気相成長法
1987 年 56 巻 3 号 p. 357-360
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1987 年 56 巻 3 号 p. 357-360
Inを含む四元混晶の有機金属気相成長法 (OMVPE) は,当初の困難を克服し,現在,いくつかの研究機関でレーザー発振に成功し,さらに埋め込み成長や分布帰還型レーザー作製などのデバイス技術が開発され,有用なデバイス作製技術として,また,極薄層ヘテロ構造デバイスの作製手段として注目されるようになってきた,通信用半導体レーザーの材料であるInGaA8P/lnPに焦点を絞って, OMVPE技術の状況と展望を述べる.
