-Si基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構-Si基板上へのGaAs膜の成長初期過程
1988 年 57 巻 11 号 p. 1754-1759
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1988 年 57 巻 11 号 p. 1754-1759
Si基板上へのCaAs膜成長の初期過程に関し, APDの消滅機構と, GaAs膜の結晶方位の第1層As付着温度依存性について取り上げ,検討した. APDの消滅機構としては,実験事実をよく説明するモヂルが存在するが,しっかり、した実験的裏づけが必要であることを指摘する. GaAs膜の結晶方位の問題に関して,報告されたヂータおよび,われわれの実験結粟を述べ,いくつかの説明を列挙し,まだ矛盾なく,すべての結果を説明できず,この現象について,さらに深い理解が必要であることを述べる.
