分子軌道法を用いたシリコン気相成長に関する理論的考察
1988 年 57 巻 7 号 p. 1022-1034
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1988 年 57 巻 7 号 p. 1022-1034
SiH2Cl2をソースガスとする気相エピタキシャル成長において, Sicl2がシリコン結晶表面に吸着する過程を理論的に考察した.まず,非経験的分子軌道法を用い, SiH2Cl2の熱分解によって発生する反応種の安定構造と全エネルギーを計算した.次に, SiCI2の電子構造に関する考察を行い, SiCl2と結晶表面との相互作用にっいて考察した,その結果を用い,結晶表面をクラスターで近似する方法によって, SiCl2の吸着ポテンシャルカーブを計算した.得られた吸着過程のモデルに基づいて,シリコンの {100}, {111} および {110} 上でのエピタキシャル成長について考察した.
