抄録
表面(極)薄膜層や,それの基板結晶との接合界面を非破壊的に解明するために軟X線分光 (SXS: Soft X-Ray Spectroscopy) 法の新しい応用を試みた.これは,軟X線の励起に用いる電子線の固体中への侵入深さがその運動エネルギーに依存して変化することに着目したものである。試料には炭化層(バッファ層)を表面にもつケイ素 (Si) の結晶を用いた.その結果,バッファ層はSiC結晶であること,その厚さは<20nmであること, SiC層から基板Si (100) へはかなり急峻に変化していることなどを明らかにし,また,新手法の有用性を示した.
